混合記憶體立方體HMC規範推出第二版 速度提升一倍 並實現HMC與SoC結合

http://www.hkepc.com/10905

2014-02-26

混合記憶體立方體HMC規範推出第二版
速度提升一倍 並實現HMC與SoC結合

文: John Lam / 新聞中心

文章索引：記憶體 IT 港聞 IT 要聞 科技領域

混 合記憶體立方體聯盟 HMCC 25 日宣佈，正式通過了 HMC 混合記憶體立方体的第一個技術規範，現時短距傳輸速度亦由最初 10 Gb/s 、 12.5 Gb/s 和 15 Gb/s 提高到 30 Gb/s ，至今聯盟的成員已增至 120 家企業，現時將會進行第二代技術規範工作， HMCC 期望 HMC 混合記憶體立方体將可成為未來記憶體的新標準。

HMCC 是由 Micron Technology 、 Samsung Electronics 及 SK hynix 等記憶體供應商所創立，為開發混合記憶體立方體進行規範，第一代規範於 2013 年 4 月發表，並綜合了各其他成員意見，計劃於 2014 年 5 月推出第二代規範，目前已有 Altera 、 Xilinx 、 和 Open-Silicon 等公司開始採用 HMC 記憶體技術。

據 了解， HMC 第二代規範將有效令 UltraScale FPGA 架構性能進一步提升，提供需要高頻寬的運算應用市場，相較上代資料傳輸速率提高一倍，同時第二代產品將採用 20nm 甚至 14nm FPGA 制程，並實現結合於 SoC 晶片之中，其實 HMC 早於第一版規範中提供開發評估，展示 HMC 設備和 FPGA 之間的互通性。

此 外， HMCC 採用了先進的矽穿孔 (TSV) 技術，其通過垂直導管將一組單獨的晶片在電氣性相連接，以將高性能邏輯電路與動態隨機存取記憶體 (DRAM) 模具相結合。 Micron 正在提供第一款商用 HMC 產品的樣品，該產品密度為 2GB ，存儲頻寬達空前的 160GB/s ，而每比特能耗比現有技術少 70% ，這大幅度地降低了客戶的擁有總成本。

DRAM 的性能改進率和處理器資料消耗率之間的差距不斷地增大，而 HMC 已被行業領袖和有影響人士視為解決該問題期盼已久的答案。 HMC 的性能代表著其性能、封裝和能效等方面遠超於當前和近期的記憶體架構，與現有的記憶體技術有巨大的差別。

HMC 成為開放介面標準，成員包括了 Micron Technology, Inc. 、 Samsung Electronics Co., Ltd. 、 Altera Corporation 、 ARM 、 IBM 、 Microsoft Corporation 、 Open-Silicon, Inc. 、 SK hynix, Inc. 和 Xilinx, Inc 等主要 IT 業界巨頭，業界 HMC 能否成為未來記憶體的次世代標準感到樂觀。

HMC 記憶體立方體的初型，首次展示已擁有 50GB/S 的傳輸速度